삼성전자가 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 '맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)'에서 '삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023'을 개최했다고 밝혔다. 

이번 행사는 '메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)'라는 주제로 열렸으며 글로벌 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석했다. 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장, 미주총괄 짐 엘리엇(Jim Elliott) 부사장, 업계 주요 인사 등이 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개하는 시간을 가졌다.

삼성전자는 이날 클라우드(Cloud), 에지 디바이스(Edge Devices), 차량(Automotive) 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 △AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)' △차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 'LPDDR5X CAMM2' 등 차별화된 메모리 솔루션을 공개했다.

지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 밝혔다.

삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며, 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다.

또한 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)'를 공개했다.

이 제품은 최대 6500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하며, 4TB 용량을 제공한다. 또한 탈부착이 가능한 폼팩터로 구현돼 손쉽게 SSD를 교체할 수 있어 성능 업그레이드 등이 용이한 제품이다.

삼성전자는 이외에도 차량용 △고대역폭 GDDR7 △패키지 크기를 줄인 LPDDR5X 등을 선보였으며, 최적의 메모리 솔루션을 통해 모빌리티 혁신에 기여하겠다고 밝혔다.