삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작했다. 

삼성전자 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용해 전(前) 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.  

소비 전력도 이전 세대 제품보다 23% 개선됐다. 데이터센터 등을 운영하는 데 전력 운영 효율을 높일 수 있다. 탄소 배출과 에너지 사용을 줄이는데 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에게 솔루션이 될 전망이다. 

유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터의 용량도 늘렸다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 구분이 쉬워진다. 

또한 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다. 

DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다. 삼성전자는 고객 수요에 맞춰 12나노급 D램 라인업을 지속적으로 확대해 데이터센터ㆍ인공지능ㆍ차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 계획이다.

삼성전자는 12나노급 D램에 대해 지난해 12월 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마치고 글로벌 IT기업들과의 협력을 통해 차세대 D램 시장을 견인하고 있다.