SK하이닉스는 업계 최초로 'High-K EMC' 소재를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발하고, 글로벌 고객사에 본격 공급을 시작했다고 28일 밝혔다.

High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 알루미나(Alumina)를 실리카(Silica)와 혼합해 만든 신소재로, 반도체 패키지를 감싸는 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)의 열전도 성능을 대폭 개선한 것이 특징이다. EMC는 수분, 열, 충격 등 외부 환경으로부터 반도체를 보호하고, 내부 열을 외부로 전달하는 통로 역할을 하는 필수 후공정 재료다.

SK하이닉스는 이 소재 적용으로 열전도도를 기존 대비 약 3.5배 향상시키고, 수직 방향 열 이동의 열 저항을 47% 줄이는 데 성공했다.

회사 측은 "온디바이스(On-Device) AI 구현 등 고속 데이터 처리 과정에서 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인"이라며 "이번 제품은 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결할 수 있는 대안으로 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 설명했다.

최근 고사양 스마트폰은 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는 PoP(패키지 온 패키지) 구조를 채택하고 있다. 이 방식은 공간 효율성과 데이터 처리 성능은 높이지만, AP의 발열이 D램으로 누적돼 전체 성능 저하로 이어지는 단점이 있다.

SK하이닉스는 이번 고방열 제품이 배터리 지속시간 향상, 전력 절감, 제품 수명 연장 등에도 기여할 것으로 내다보고 있다.

이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 "이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 의미가 크다"며 "소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 확고히 하겠다"고 밝혔다.