SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(fab·반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴다

SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다고 25일 밝혔다.

SK하이닉스는 당초 다음 달부터 1기 팹 착공에 들어갈 계획이었으나 용인시가 예정보다 신속하게 인허가 절차를 진행, 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점을 계획보다 앞당기게 됐다.

용인시는 지난해 4월 SK하이닉스와 '생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약'을 맺은 데 이어 건축허가 태스크포스(TF)를 구성, 인허가 절차에 속도를 냈다.

경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모의 부지에 구축될 용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스 팹과 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지, 인프라 부지로 조성되는 반도체 산업단지다.

SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공이 목표다.

SK하이닉스는 이곳을 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고, 향후 급증하는 AI 메모리 반도체의 수요에 적기에 대응해 중장기 성장 기반을 구축한다는 계획이다.

이와 더불어, 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다.