삼성전자가 차세대 3차원(3D) D램 개발에 주력할 메모리 연구개발(R&D) 조직을 만들어 기술 경쟁력 확보에 나선다.

28일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 최근 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 메모리 연구개발 조직을 신설했다.

이 조직은 3D D램을 선제적으로 연구하고 실리콘밸리 우수 인력을 적극적으로 영입해 다양한 반도체 생태계와 협력할 예정이다.

현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조다. 같은 면적에 집적도를 높여 성능이 더 뛰어난 3D D램 개발에 메모리 업계가 사활을 걸고 있다.

삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 한다.

지난해 10월 '메모리 테크 데이' 행사에서 삼성전자는 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입할 계획을 밝혔다.