SK하이닉스가 올해 4분기 D램의 출하량을 전분기 대비 약 10% 수준으로 늘린다고 26일 밝혔다. 수익성 개선을 위해 낸드(NAND)의 출하량은 약 10%대 줄인다는 방침이다.

SK하이닉스는 이날 개최된 2023년 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 NAND의 시장수요 회복세가 약하다면서 제품 라인업 최적화의 일환으로 4분기 출하량 계획에 대해 설명했다. 

SK하이닉스는 내년, 올해보다 투자 규모를 늘릴 계획이다. 다만 투자효율성과 재무건전성을 고려해 증가분은 최소화할 방침이다.

먼저 DDR5, LPDDR5, HBM 등의 안정적 생산을 확대한다. 주력제품을 기반으로 선도적인 시장 입지를 유지한다는 계획으로, 이를 위해 D램 10나노 4세대(1anm)와 5세대(1bnm) 중심으로 공정을 전환할 방침이다.

또한 HBM 생산능력(CAPA) 확대를 위해 후공정라인인 TSV(Through Silicon Via) 투자를 최우선으로 고려 중이라고 설명했다.

한편 SK하이닉스는 올해 3분기 매출 9조662억원, 영업손실 1조7920억원(영업손실률 20%), 순손실 2조1847억원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 이날 발표했다.