삼성전자가 3분기 실적을 설명하는 컨퍼런스콜에서 엔비디아로 고대역폭메모리반도체(HBM)3E(4세대) 제품을 공급하기 위한 품질테스트의 중요 단계를 넘었다고 언급했다. 

삼성전자는 31일 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E에 대해 "현재 HBM3E 8단과 12단 모두 양산 판매 중"이라며 "HBM3E 사업화가 지연됐지만 현재 주요 고객사 퀄(품질 테스트) 과정상 중요한 단계를 완료하는 유의미한 진전을 확보했고 이에 4분기 중 판매 확대가 가능할 것으로 전망된다"고 밝혔다. 

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "3분기 전체 HBM에서 HBM3E의 매출 비중은 10% 초중반 수준으로 증가했다"며 "4분기에는 HBM3E의 매출 비중이 50%에 이를 것"이라고 전망했다.

그는 "주요 고객사의 차세대 그래픽처리장치(GPU) 과제에 맞춰 HBM3E 개선 제품도 준비 중"이라며 "기존 HBM3E 제품은 이미 진입한 과제용으로 공급을 확대하고 개선 제품은 신규 과제용으로 추가 판매해 수요 대응 범위를 늘려갈 예정"이라고 말했다.

6세대인 HBM4는 내년 하반기 양산을 목표로 계획대로 개발을 진행 중이라고 밝혔다. 삼성전자는 주요 고객사에 HBM3E 공급이 늦은 만큼 차세대 제품인 HBM4 개발에 집중하고 있다

김 부사장은 "복수 고객사와 커스텀(맞춤형) HBM 사업화를 준비하고 있으며 커스텀 HBM은 고객의 요구 사항을 만족시키는 게 중요하기 때문에 베이스 다이 제조와 관련된 파운드리(반도체 위탁생산) 파트너 선정은 고객 요구를 우선으로 내외부 관계없이 유연하게 대응할 계획"이라고 강조했다.

메모리 시장은 서버의 경우 지속적 수요 강세를 보인 반면 모바일은 주요 스마트폰 업체들의 재고 조정으로 수요가 약세를 보이는 '디커플링'이 심화됐다. 메모리 시장에서 삼성전자는 시황과 연계된 탄력적 설비 투자 기조를 유지하면서 HBM과 DDR5 등 고부가가치 제품 전환에 중점을 둘 예정이다. 

내년도 시설 투자 규모는 올해 연간 시설 투자 규모(56조7000억원)와 비슷한 수준을 예고했다.  

김 부사장은 "수요 측면에서 시장 디커플링 현상이 내년 상반기까지 이어질 것으로 전망된다"며 "차세대 반도체 연구개발(R&D) 단지 건설, 후공정 투자, 클린룸 선확보에 우선순위를 둘 예정이며, 설비투자는 전환 투자에 초점을 두고 기존 라인에 대해 1b 나노 D램, V8·V9낸드로 전환을 가속해 수요 모멘텀이 강한 선단공정 기반 고부가 제품에 집중할 것"이라고 강조했다.